Fizikos terminų žodynas : lietuvių, anglų, prancūzų, vokiečių ir rusų kalbomis. – Vilnius : Mokslo ir enciklopedijų leidybos institutas. Vilius Palenskis, Vytautas Valiukėnas, Valerijonas Žalkauskas, Pranas Juozas Žilinskas. 2007.
Substrat mit Epitaxieschicht — epitaksinis padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial body; epitaxial substrate vok. Substrat mit Epitaxieschicht, n rus. эпитаксиальная подложка, f pranc. corps à couche épitaxiale, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Wafer mit Epitaxieschicht — epitaksinė plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial slice; epitaxial wafer vok. Wafer mit Epitaxieschicht, m rus. пластина с эпитаксиальным слоем, f pranc. tranche à couche épitaxiale, f … Radioelektronikos terminų žodynas
arsendotierte Epitaxieschicht — epitaksinis arsenu legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. arsenic doped epitaxial layer vok. arsendotierte Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальный слой, легированный мышьяком, m pranc. couche épitaxiale dopée… … Radioelektronikos terminų žodynas
auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht — epitaksinis padėklinis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial substrate film vok. auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальная плёнка подложки, f pranc. film épitaxial pour… … Radioelektronikos terminų žodynas
durch Kontakt mit einer Flüssigphase aufgewachsene Epitaxieschicht — skystafazės epitaksijos sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. liquid phase epitaxial layer vok. durch Kontakt mit einer Flüssigphase aufgewachsene Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальный слой, выращенный из жидкой фазы, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
IGBT — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
Igbt — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
Insulated Gate Bipolar Transistor — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode — Schaltzeichen der vier IGBT Typen Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (englisch insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es… … Deutsch Wikipedia
